Memorias EPROM

Características:

Sus siglas son (Erasable Read Only Memory) es una memoria en la cual la información se puede grabar y borrar varias veces, estas se programan mediante impulsos eléctricos aplicando una tensión entre 10 y 25 voltios durante un tiempo determinado, dependiendo del dispositivo. la ventana (cuarzo transparente) que trae este chip es con el fin de llevar a cavo el proceso de borrado, el cual se logra con una exposición a la luz ultravioleta, llegando esta hasta el material fotoconductivo y logrando disipar la carga apagando el transistor, oscilando este tiempo entre 10 y 30 minutos.modificando así su estado, teniendo en cuenta que el borrado no puede ser parcial, debe ser completo en su totalidad.

.uno de los diferentes Borradores de las EPROM

 Funcionamiento:

Luego de haber sido grabada la EPROM, se colocará en el sistema correspondiente donde actuara solamente como un dispositivo de lectura. Ante la necesidad de modificar la información contenida en la memoria, se hace necesario retirarla del sistema y aplicar el proceso de borrado descrito anteriormente insertando los datos nuevos que se requieran y luego volviéndose a instalar para que  funcione como un dispositivo de lectura solamente.
Las memorias EPROM se compone de un arreglo a transistores mosfet. La compuerta flotante que contiene cada transistor en estado normal se encuentra apagado y almacene un 1 lógico y luego de la programación la región compuerta queda cargada eléctricamente y almacenando un O lógico. el dato quedara almacenado de forma permanente sin la necesidad de tensión ya que  la carga eléctrica de la compuerta puede permanecer hasta un periodo de 10 años aprox.

MEMORIAS EEPROM

De la sigla en Ingles (Electrical Erasable Programmable Read Only Memory).estas tienen la característica de permitir el almacenamiento y la sobre-escritura de datos por medio de voltajes de operación. Se pueden encontrar memorias EEPROM en paralelo compatibles pin a pin.
la programacion es similar al de las EPROM ya que se aplica una tensión de 21 voltios a cada compuerta aislada de cada transistor mosfet, lo cual deja una carga ecléctica lo suficiente para encender los transistores y almacenar la información necesaria. El borrado se efectúa aplicando tensiones negativas que liberan la carga eléctrica que se ha almacenado con anterioridad.

 Características:

•  No es necesario hacer un borrado previo para re-escribir.
• Para el borrado no es necesario la luz ultravioleta.
• Puede ser borrada parcialmente es decir, lo que se necesite ya sea solamente una palabra de forma individual.
• Se pueden conectar facilmente con microprocesadores o microcontroladores.